Karakteristik DDR3 SDRAM

DDR3 SDRAM kependekan dari Double Data Rate three Synchronous Dynamic Random Access Memory. Dalam teknik elektronika, DDR3 SDRAM adalah RAM berkecepatan tinggi yang berfungsi untuk menyimpan data ketika komputer sedang bekerja. Selain merupakan bagian dari perangkat komputer, DDR3 SDRAM juga digunakan pada peralatan elektronik digital lainnya.

DDR3 SDRAM termasuk keluarga SDRAM, merupakan salah satu hasil penerapan dari teknologi DRAM yang pada tahun 2008 masih tergolong baru. DDR3 SDRAM adalah penerus dan perkembangan dari generasi pendahulunya, yaitu DDR2 SDRAM. Kelebihan utama DDR3 SDRAM adalah kemampuannya untuk menjalankan bus I/O hingga empat kali kecepatan sel-sel memori.Hal ini yang mengakibatkan DDR3 SDRAM mampu mentransmisi data lebih banyak dan lebih cepat dibandingkan generasi pendahulunya. Namun DDR3 SDRAM memiliki latency yang lebih tinggi dibandingkan DDR2 SDRAM. Teknologi DDR3 ini membuka peluang besar diciptakannya chip memori berkapasitas 512 Mbit hingga 8 Gbit, dan secara efektif sangat memungkinkan diwujudkannya pembuatan modul memori berkapasitas maksimum 16 GB.
Sebenarnya, prototip DDR3 SDRAM telah diumumkan pada awal tahun 2005. Produknya sendiri baru muncul di pasaran pada pertengahan tahun 2007 yang berbasis pada chipset Intel P35 Bearlake. Menurut berita, AMD juga berencana mengadopsi DDR3 pada tahun 2008.
DDR3 SDRAM memiliki 240 pin, sama jumlahnya dengan pin DDR2 SDRAM. Ukuran panjang DDR3 SDRAM juga sama dengan panjang DDR2 SDRAM, tetapi kedua jenis modul tersebut secara elektronis tidak saling kompatibel satu dengan lainnya, dan keduanya memiliki lokasi notch (takian/kowakan) yang berbeda.
Konsumsi energi DDR3 SDRAM
Konsumsi energi DDR3 SDRAM lebih rendah dibandingkan pendahulunya, DDR SDRAM maupun DDR2 SDRAM. Bahkan dilaporkan bahwa pengurangan atau penurunan konsumsi energi DDR3 SDRAM ini mencapai 16% sampai 17 % dibandingkan DDR2 SDRAM. Tegangan yang dibutuhkan oleh ketiga jenis DRAM ini agar dapat bekerja atau beroperasi dengan normal, berbeda-beda. DDR SDRAM memerlukan tegangan 2,5 Volt, DDR2 SDRAM memerlukan 1,8 Volt, sedangkan DDR3 SDRAM memerlukan 1,5 Volt. Suplai tegangan 1,5 Volt cukup ideal untuk chip-chip memori yang diproduksi menggunakan teknologi manufaktur 90 nm. Chip-chip memori DDR3 SDRAM banyak yang diproduksi menggunakan teknologi manufaktur 90 nm. Beberapa perusahaan pembuat chip berencana menggunakan transistor ‘dual gate’ untuk mengurangi kebocoran arus yang mungkin terjadi.
JEDEC (organisasi untuk urusan pengembangan standar semikonduktor) merekomendasikan penggunaan voltase maksimum untuk DDR3 SDRAM sebesar 1,575 Volt, dan modul memori harus mampu bertahan pada tegangan 1,975 Volt walaupun pada tegangan sebesar itu kemungkinan chip memori tidak mampu bekerja sempurna (chip tidak berfungsi sempurna) seperti dalam kondisi normalnya.

Bandwidth
Controller internal pada DDR mengerjakan 2 bit data dari media simpan data (storage), DDR2 dapat mengerjakan 4 bit sekaligus, sedangkan DDR3 mampu mengerjakan 8 bit sekaligus, sehingga DDR3 SDRAM memiliki kecepatan transfer data dua kali lebih cepat dibandingkan DDR2 SDRAM atau empat kali lebih cepat dibandingkan DDR SDRAM. Dengan demikian, salah satu keunggulan DDR3 SDRAM terletak pada bandwidthnya.
Pada frekuensi bus memori yang sama (frekuensi dasar atau frekuensi yang sesungguhnya), DDR3 SDRAM memiliki bandwidth yang lebih tinggi dibandingkan generasi pendahulunya.
Bandwidth adalah banyaknya data maksimal yang dapat dipindahkan (ditransmisi) di dalam suatu jaringan elektronik (misalnya bus atau channel) dalam satuan waktu tertentu. Banyaknya data biasanya diukur dalam satuan bit ataupun byte, sedangkan satuan waktu yang digunakan biasanya adalah detik (second).
Berikut ini disajikan tabel perbandingan bandwidth atau laju transfer data maksimum per detik dari DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, dan DDR3 SDRAM pada frekuensi bus memori yang sama.

Latency
JEDEC telah menetapkan standar latency untuk modul memori DDR2 SDRAM adalah 5-5-5-15. Sedangkan standar latency untuk modul memori DDR3 SDRAM ditetapkan 7-7-7-15. Dengan ditetapkannya standar latency ini membuat perusahaan-perusahaan produsen modul memori berupaya untuk memproduksi modul memori DDR2 SDRAM maupun DDR3 SDRAM yang memiliki nilai latency di bawah spesifikasi standar yang telah ditetapkan oleh JEDEC. Hal ini membuka peluang para pengguna komputer untuk mendapatkan modul memori yang lebih cepat (latency lebih rendah) untuk memperbaiki kinerja komputernya.

Hubungan DDR3 SDRAM dengan memori GDDR-3
Pengertian istilah DDR3 pada modul DDR3 SDRAM tidaklah sama dengan pengertian istilah DDR3 pada memori GDDR3 yang banyak digunakan pada kartu grafis kelas ‘high end’. Keduanya memiliki teknologi yang berbeda walupun mempunyai nama atau istilah yang sama. Teknologi GDDR3 kenyataannya lebih dekat dengan teknologi DDR2 yang diberi tambahan beberapa hal yang sesuai untuk kartu grafis.

Standar spesifikasi chip/modul DDR3 SDRAM
Modul memori DDR3 SDRAM yang beredar di pasaran umumnya berkecepatan efektif 800 MHz hingga 1866 MHz (frekuensi bus sesungguhnya adalah 100 MHz hingga 233 MHz), yang biasanya dituliskan dengan notasi DDR2-800 hingga DDR2-1866 atau PC2-6400 hingga PC2-14900. Spesifikasi modul DDR3 SDRAM yang beredar di pasaran selengkapnya dapat dilihat pada tabel berikut:

Keunggulan DDR3 SDRAM dibandingkan DDR2 SDRAM
Beberapa keunggulan DDR3 SDRAM dibandingkan DDR2 SDRAM antara lain:
  • Mempunyai bandwidth yang lebih tinggi dibandingkan generasi pendahulunya.
  • Kecepatan efektif memori dapat mencapai 1866 MHz (sampai tahun 2008)
  • Lebih hemat energi dan performanya lebih bagus. Dapat memperpanjang waktu pemakaian laptop karena energi listrik pada batere tidak cepat habis.
  • Dilengkapi desain sistem pendingin (cooler) yang lebih bagus.
Kelemahan DDR3 SDRAM dibandingkan DDR2 SDRAM
Kelemahan-kelemahan DDR3 SDRAM dibandingkan DDR2 SDRAM antara lain:
  • Mempunyai CAS Latency yang lebih tinggi dibandingkan generasi pendahulunya sebagai kompensasi dari tingginya bandwidth.
  • Sampai dengan tahun 2008, harga DDR3 SDRAM cukup tinggi.